首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   350篇
  免费   94篇
  国内免费   160篇
化学   258篇
晶体学   13篇
力学   32篇
综合类   11篇
数学   103篇
物理学   187篇
  2023年   3篇
  2022年   13篇
  2021年   19篇
  2020年   18篇
  2019年   11篇
  2018年   9篇
  2017年   13篇
  2016年   14篇
  2015年   20篇
  2014年   17篇
  2013年   40篇
  2012年   25篇
  2011年   30篇
  2010年   39篇
  2009年   35篇
  2008年   38篇
  2007年   21篇
  2006年   27篇
  2005年   39篇
  2004年   29篇
  2003年   13篇
  2002年   13篇
  2001年   17篇
  2000年   26篇
  1999年   8篇
  1998年   8篇
  1997年   4篇
  1996年   5篇
  1995年   3篇
  1994年   9篇
  1993年   2篇
  1992年   6篇
  1991年   1篇
  1990年   2篇
  1989年   5篇
  1988年   2篇
  1987年   7篇
  1986年   2篇
  1985年   2篇
  1983年   3篇
  1981年   1篇
  1980年   3篇
  1979年   1篇
  1936年   1篇
排序方式: 共有604条查询结果,搜索用时 218 毫秒
1.
荣宁  汪曣  范真真 《应用声学》2020,39(5):764-768
实验研究了基质刚性对单细胞质粒DNA转染效果的影响。实验采用高声压短脉冲(0.45MPa,10μs)条件的超声对培养在不同硬度凝胶基质(软的凝胶基质:0.2kPa,硬的凝胶基质:40kPa)上的力学敏感细胞NIH 3T3进行质粒DNA转染实验。实验结果表明,培养在硬的凝胶基质上的细胞,质粒DNA转染效率明显高于培养在软的凝胶基质上的细胞。进一步对质粒DNA进行荧光示踪可知培养在不同刚性基质上的细胞导入质粒DNA的方式不同。当细胞被培养在硬的凝胶基质上时,通过声致穿孔产生的小孔进入细胞内的质粒DNA更多,而培养在软的凝胶基质上的细胞,更多的质粒DNA可以通过非声致穿孔作用,例如内吞方式导入细胞。 细胞骨架蛋白分布规律表明,硬的凝胶基质上培养的细胞内有更多的F肌动蛋白微丝,可以更好地支撑起细胞的铺展形态,相对不容易发生内吞作用。而软的凝胶基质上培养的细胞内F肌动蛋白则更多以球形状态存在,细胞形貌骗向圆形,此时更容易发生胞吞作用。  相似文献   
2.
介质折射率对一维三元光子晶体带隙的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用光学传输矩阵法,数值模拟了一维二元、三元光子晶体的带隙结构,得出:三元光子晶体的主带隙略宽于二元光子晶体的主带隙;三元光子晶体的主带隙主要取决于最高折射率的介质和最低折射率的介质,而与居于两者之间的介质关系不大,并作出了相应的关系曲线。最后推导了三元光子晶体的色散关系。  相似文献   
3.
二维光子晶体异质结构的带隙分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出异质结构的二维光子晶体模型,用时域有限差分法计算其带隙,数值计算结果表明,其带隙宽度变大.  相似文献   
4.
An optical microelectromechanical-system (MEMS) pressure sensor based on multi-layer circular diaphragm is described and analysed by using the proposed novel analytical approach and the traditional transfer matrix method. The analytical expressions of the deflection of multi-layer diaphragm and absolute optical reflectance are derived respectively. The influence of residual stress on the deflection of diaphragm is also analysed. Simulation results given by the finite element method are consistent with the ones which are analysed by using the analytical approach. The analytical approach will be helpful to design and fabricate the optical MEMS pressure sensors with multi-layer diaphragm based on Fabry-Perot interferometry.  相似文献   
5.
Ar—Kr溶液扩散系数的分子动力学模拟及其与温度的关系   总被引:2,自引:1,他引:2  
用分子动力学模拟方法研究确定Ar-Kr溶液的自扩散系数D1、D2和互扩散系数D12以及它们随温度变化的规律。结果表明,分别用Green-Kubo法和Einstein法得到的扩散系数在数值上一致;该溶液的3种扩散系数均满足D=D0e^E/RT关系。  相似文献   
6.
The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.  相似文献   
7.
Tb~(3 )在MO(M=Ca,Sr)中的长余辉发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
长余辉发光材料的研究与应用,已有近100年的历史,目前仍在许多领域中有着重要应用[1].此类材料与其他光致发光材料具有相同的发光性能,只是更注重其发光的衰减过程和热释光性能.如,ZnS:Cu作为黄绿色的长余辉发光材料,在1992年以前是余辉性能最好的长余辉发光材料,一直处于发光研究工作的中心.  相似文献   
8.
荣国斌 《有机化学》1996,16(1):68-71
N, N-二甲基取代酰胺可以方便地由脂肪族或芳香羧酸与四(二甲氨基)硅烷在无水溶剂中反应制得。  相似文献   
9.
芳亚甲基丙二腈、芳亚甲基氰乙酰胺的固相合成   总被引:6,自引:2,他引:6  
芳醛和丙二腈、氰乙酰胺在NH4Ac催化下经固相反应高产率的得到芳亚甲基丙 二腈和芳亚甲基氰乙酰胺。  相似文献   
10.
Er~(3 ),Ho~(3 )和Tm~(3 )在硫氧化钆中的余辉发光   总被引:4,自引:0,他引:4  
非放射性长余辉磷光粉作为美化和清洁光源在发光陶瓷、交通安全标志、紧急突发事件的照明设施、工艺美术涂料等众多领域得到越来越广泛的应用,引起人们的重视.到目前为止,文献报道的稀土长余辉磷光体的激活离子主要有铕离子(Eu3+和Eu2+[1-4]、三价铈离子(Ce3+)[5]、三价铽离子(Tb3+)[6]、三价镨离子(Pr3+)[7]、三价钐离子(Sm3+)[8].Ho3+,Er3+,Tm3+等稀土离子作为红外上转换发光材料的激活离子[9~12],而关于它们的长余辉发光的报道极少.最近,雷炳富等在Tm3+离子[13]激活的硫氧化钇体系中发现了长余辉发光.在此,我们通过高温固相法合成了Er3+,Ho3+和Tm3+掺杂的硫氧化钆长余辉磷光粉,观察到该体系中迄今未见文献报道的Er3+,Ho3+和Tm3+离子的长余辉发光.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号